Počet záznamov: 1
Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET
Názov Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET Preklad názvu Štatistická simulácia kolísania prahového napätia indukovaného náhodným dopantom pre MOSFET dĺžky kanála 35 nm Autorské údaje Urban Kováč, Dave Reid, Campbell Millar, Gareth Roy, Scott Roy, Asen Asenov Autor Kováč Urban EUBFNHKFI - Katedra financií FNH Spoluautori Reid Dave Millar Campbell Roy Gareth Roy Scott Asenov Asen Zdrojový dokument Microelectronics and Reliability. Vol. 48, no. 8-9 (2008), pp. 1572-1575. - Oxford : Elsevier. ISSN 1872-941X Druh dokumentu rozpis článkov z periodík Jazyk dokumentu angličtina Krajina vydania Veľká Británia Kategória EPC Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Registrované v WOS Báza dát PUBLIKAČNÁ ČINNOSŤ Archív EPC E08 01852-001, kópia plného textu
článok
Počet záznamov: 1