Počet záznamov: 1  

Simulation of Statistical Variability in Nano-CMOS Transistors Using Drift-diffusion, Monte Carlo and Non-equilibrium Green's Function Techniques

  1. Názov Simulation of Statistical Variability in Nano-CMOS Transistors Using Drift-diffusion, Monte Carlo and Non-equilibrium Green's Function Techniques
    Preklad názvuSimulácia štatistickej variability v tranzistoroch Nano-CMOS pomocou techník driftovej difúzie, Monte Carlo a nerovnovážnej Greenovej funkcie
    Autorské údajeAsen Asenov, Adrew R. Brown, Gareth Roy, Binjie Cheng, Alexander Craig, Riddet Craig, Urban Kováč, Antonio Martinez, Natalia Seoane, Scott Roy
    Autor Asenov Asen
    Spoluautori Brown Adrew R.
    Roy Gareth
    Cheng Binjie
    Craig Alexander
    Craig Riddet
    Kováč Urban EUBFNHKFI - Katedra financií FNH
    Martinez Antonio
    Seoane Natalia
    Roy Scott
    Zdrojový dokumentJournal of computational electronics. Vol. 8, No. 3-4 (october 2009), s. 349-3723. - [USA] : SpringerLink, 2009. ISSN 1572-8137
    Druh dokumenturozpis článkov z periodík
    Jazyk dokumentuangličtina
    Krajina vydaniaSpojené štáty
    URLhttp://www.springerlink.com/content/16664q8604ng7qqu
    Kategória EPCVedecké práce v zahraničných nekarentovaných časopisoch
    Báza dátPUBLIKAČNÁ ČINNOSŤ
    Archív EPCE10 01518-001, kópia plného textu

    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.