Počet záznamov: 1
Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET
SYS 0127809 LBL $$$$$nla$$22$$$$$$$$450$ 005 20240502083321.6 014 $a 000260347000094 $2 WOS 014 $a 000260347000094 $2 CCC 100 $a 20110406a2008łłłłm$$y0sloc0103$$$$ba 101 0-
$a eng $d eng 102 $a GB 200 1-
$a Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET $f Urban Kováč, Dave Reid, Campbell Millar, Gareth Roy, Scott Roy, Asen Asenov 463 -1
$1 001 eu_un_cat*0270009 $1 011 $a 1872-941X $1 011 $a 0026-2714 $1 200 1 $a Microelectronics and Reliability $v Vol. 48, no. 8-9 (2008), pp. 1572-1575 $1 210 $a Oxford $c Elsevier 541 1-
$a Štatistická simulácia kolísania prahového napätia indukovaného náhodným dopantom pre MOSFET dĺžky kanála 35 nm 675 $v 1. stred. $z slo 700 -1
$3 eu_un_auth*p0056135 $a Kováč $b Urban $p EUBFNHKFI $9 99 $4 070 $T Katedra financií FNH 701 -1
$3 eu_un_auth*0037783 $a Reid $b Dave $4 070 $9 0,96 701 -1
$3 eu_un_auth*0037784 $a Millar $b Campbell $4 070 $9 0,01 701 -1
$3 eu_un_auth*0037768 $a Roy $b Gareth $4 070 $9 0,01 701 -1
$3 eu_un_auth*0037775 $a Roy $b Scott $4 070 $9 0,01 701 -1
$3 eu_un_auth*0037769 $a Asenov $b Asen $4 070 $9 0,01 801 -0
$a SK $b BA004 $c 20110406 $g AACR2
Počet záznamov: 1