Vytlačiť
1. Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET
| Názov | Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET |
|---|---|
| Preklad názvu | Štatistická simulácia kolísania prahového napätia indukovaného náhodným dopantom pre MOSFET dĺžky kanála 35 nm |
| Autorské údaje | Urban Kováč, Dave Reid, Campbell Millar, Gareth Roy, Scott Roy, Asen Asenov |
| Autor | Kováč Urban EUBFNHKFI - Katedra financií FNH |
| Spoluautori | Reid Dave |
| Millar Campbell | |
| Roy Gareth | |
| Roy Scott | |
| Asenov Asen | |
| Zdrojový dokument | Microelectronics and Reliability. Vol. 48, no. 8-9 (2008), pp. 1572-1575. - Oxford : Elsevier. ISSN 1872-941X |
| Druh dokumentu | rozpis článkov z periodík |
| Jazyk dokumentu | angličtina |
| Krajina vydania | Veľká Británia |
| Kategória EPC | Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch |
| Registrované v | WOS |
| Báza dát | PUBLIKAČNÁ ČINNOSŤ |
| Archív EPC | E08 01852-001, kópia plného textu |